SCIENCE-JOBS-DE Stellenausschreibung (vacancies)
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Die Technische Universitaet Dresden (TUD) zaehlt als Exzellenzuniversitaet zu den leistungsstaerksten Forschungseinrichtungen Deutschlands. 1828 gegruendet, ist sie heute eine global bezogene, regional verankerte Spitzenuniversitaet, die innovative Beitraege zur Loesung weltweiter Herausforderungen leisten will. In Forschung und Lehre vereint sie Ingenieur- und Naturwissenschaften mit den Geistes- und Sozialwissenschaften und der Medizin. Diese bundesweit herausragende Vielfalt an Faechern ermoeglicht der Universitaet, die Interdisziplinaritaet zu foerdern und Wissenschaft in die Gesellschaft zu tragen. Die TUD versteht sich als moderne Arbeitgeberin und will allen Beschaeftigten in Lehre, Forschung, Technik und Verwaltung attraktive Arbeitsbedingungen bieten und so auch ihre Potenziale foerdern, entwickeln und einbinden. Die TUD steht fuer eine Universitaetskultur, die gepraegt ist von Weltoffenheit, Wertschaetzung, Innovationsfreude und Partizipation. Sie begreift Diversitaet als kulturelle Selbstverstaendlichkeit und Qualitaetskriterium einer Exzellenzuniversitaet. Entsprechend begruessen wir alle Bewerber:innen, die sich mit ihrer Leistung und Persoenlichkeit bei uns und mit uns fuer den Erfolg aller engagieren moechten.
An der Fakultaet Elektrotechnik und Informationstechnik, Institut fuer Halbleiter- und Mikrosystemtechnik (IHM), ist an der Professur fuer Nanoelektronik ab sofort eine Stelle als
wiss. Mitarbeiter:in / Doktorand:in (m/w/d)
(bei Vorliegen der persoenlichen Voraussetzungen E 13 TV-L)
fuer 36 Monate (Beschaeftigungsdauer gem. WissZeitVG) mit der Gelegenheit zur eigenen wiss. Weiterqualifikation (i. d. R. Promotion) zu besetzen.
Aufgaben: Im Rahmen eines DFG-Projekts ist das Thema Memristives Kreuzpunktstruktur-Speicherrechnen auf Basis von Neurotransistoren / Neurotransistor-based Memristive Crossbar Memcomputing (NeuroMCross) wiss. zu untersuchen. Dabei sollen hybride Memristor-Crossbar Strukturen auf der Steuerelektrode eines siliziumbasierten Feldeffekttransistors hergestellt, elektrisch charakterisiert und modelliert werden. Der an der Professur bestehende Reinraum sowie die angeschlossenen Forschungsraeume sollen zur Herstellung und Strukturierung von einzelnen resistiven Schaltelementen, von integrierten transistor-basierten Schaltelementen mit funktionalisierter Steuerelektrode(n) und zur Fabrikation von Matrix-Strukturen genutzt werden. Es wird eine Vielzahl von halbleitertechnologischen Anlagen und Prozessen, auch mit Partnern (insb. im Reinraum/Forschungslabor der NaMLab gGmbH) eingesetzt, z. B. UV-Kontaktlithografie, thermische Oxidation/Diffusion oder ALD/CVD/PVD. Die elektrische Charakterisierung erfolgt ueber DC und transiente Messmethoden, um die Schalteigenschaften der Transistoren und Matrixstrukturen sowie das Speicherverhalten der memristiven Bauelemente zu ueberpruefen. Die Modellierung der memristiven und memkapazitiven Eigenschaften ist Teil des Projekts und soll mit unterstuetzt werden. Eine enge wiss. Zusammenarbeit mit anderen Forschergruppen (Namlab gGmbH, Professur fuer Grundlagen der Elektrotechnik der TUD), regelmaessige Projekttreffen, die Teilnahme an Konferenzen sowie das Veroeffentlichen in wiss. Fachzeitschriften wird erwartet.
Voraussetzungen: ueberdurchschnittlicher wiss. Hochschulabschluss auf dem Gebiet der Elektrotechnik, Physik, Materialwissenschaft oder einer verwandten Fachrichtung. Ferner werden sehr gute Englischkenntnisse, hervorragende Teamfaehigkeit und eine selbststaendige und eigenverantwortliche Arbeitsweise erwartet. Erfahrungen im Arbeiten in einer Reinraumumgebung sowie in der praktischen Durchfuehrung von Duennschichtprozessen und/oder -analysen an Halbleitermaterialien und Halbleiterbauelementen sowie Kenntnisse auf dem Gebiet der elektrischen Charakterisierungsmethoden sind erwuenscht.
Die TUD strebt eine Erhoehung des Anteils von Frauen an und bittet diese deshalb ausdruecklich um deren Bewerbung. Die Universitaet ist eine zertifizierte familiengerechte Hochschule und verfuegt ueber einen Dual Career Service. Bewerbungen schwerbehinderter Menschen sind besonders willkommen. Bei gleicher Eignung werden diese oder ihnen Kraft SGB IX von Gesetzes wegen Gleichgestellte bevorzugt eingestellt.
Ihre aussagekraeftige Bewerbung senden Sie bitte mit den ueblichen Unterlagen bis zum 22.05.2024 (es gilt der Poststempel der Zentralen Poststelle bzw. der Zeitstempel auf dem E-Mail-Server der TUD) bevorzugt ueber das SecureMail Portal der TUD https://securemail.tu-dresden.de in einem PDF-Dokument an [log in to unmask] bzw. an: TU Dresden, Fakultaet Elektrotechnik und Informationstechnik, Institut fuer Halbleiter- und Mikrosystemtechnik (IHM), Professur fuer Nanoelektronik, Herrn Prof. Dr.-Ing. Thomas Mikolajick, Helmholtzstr. 10, 01069 Dresden. Ihre Bewerbungsunterlagen werden nicht zurueckgesandt, bitte reichen Sie nur Kopien ein. Vorstellungskosten werden nicht uebernommen.
Hinweis zum Datenschutz: Welche Rechte Sie haben und zu welchem Zweck Ihre Daten verarbeitet werden sowie weitere Informationen zum Datenschutz haben wir auf der Webseite https://tu-dresden.de/karriere/datenschutzhinweis fuer Sie zur Verfuegung gestellt.
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Von:
Prof. Dr.-Ing. Thomas Mikolajick
[log in to unmask]
TU Dresden, Fakultaet Elektrotechnik und Informationstechnik, Institut fuer Halbleiter- und Mikrosystemtechnik (IHM), Professur fuer Nanoelektronik
Dresden
Ansprechpartner: Prof. Dr.-Ing. Thomas Mikolajick, [log in to unmask]
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